车规级集成电路芯片IC的AEC-Q104认证测试

华碧实验室Y

AEC-Q104对大规模集成电路芯片IC的可靠性测试可细分为：加速环境应力可靠性、加速寿命模拟可靠性、封装可靠性、晶圆制程可靠性、电学参数验证、缺陷筛查、包装完整性试验，且需要根据器件所能承受的温度等级选择测试条件。华碧实验室将根据客户的要求，依据标准对客户的IC进行评估，出具合理的认证方案，从而助力企业IC的可靠性认证。

成功完成根据本文件各要点需要的测试结果，那么将允许供应商声称他们的零件通过了AEC-Q104认证。供应商与客户协商，可以在样品尺寸和条件的认证上比文件要求的要放宽些，但是只有完成要求实现的时候才能认为零件通过了AEC-Q104 认证。
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AEC-Q104认证测试：提供全面的认证计划、测试、报告等服务。

认证测试地点：上海实验室、苏州实验室

华碧实验室芯片测试能力：

芯片可靠性验证
芯片级预处理(PC) & MSL试验 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；
高温存储试验(HTSL), JESD22-A103 ；
温度循环试验(TC), JESD22-A104 ；
温湿度试验(TH / THB), JESD22-A101 ；
高加速应力试验(HTST / HAST), JESD22-A110；
高温老化寿命试验(HTOL), JESD22-A108；

芯片静电测试：
人体放电模式测试(HBM), JS001 ；
元器件充放电模式测试(CDM), JS002 ；
闩锁测试(LU), JESD78 ；

芯片IC失效分析：
光学检查(VI/OM) ；
扫描电镜检查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH ；
Micro-probe;
聚焦离子束微观分析(FIB) ；
弹坑试验(cratering) ；
芯片开封(decap) ；
芯片去层(delayer)；
晶格缺陷试验(化学法)；
PN结染色 / 码染色试验；
推拉力测试(WBP/WBS)；
红墨水试验；
PCBA切片分析(X-section)；

芯片材料分析：
高分辨TEM (形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF)；
SEM (形貌观察、截面观察、膜厚测量、EBSD)；
Raman (Raman光谱)；
AFM (微观表面形貌分析、台阶测量)；

AEC-Q试验后元器件失效分析项目：

① 形貌分析技术：体视显微镜、金相显微镜、X射线透视、声学扫描显微镜、扫描电镜、透射电镜、聚焦离子束。
② 成分检测技术：X射线能谱EDX、俄歇能谱AES、二次离子质谱SIMS、光谱、色谱、质谱。
③ 电分析技术：I-V曲线、半导体参数、LCR参数、集成电路参数、频谱分析、ESD参数、电子探针、机械探针、绝缘耐压、继电器特性。
④ 开封制样技术：化学开封、机械开封、等离子刻蚀、反应离子刻蚀、化学腐蚀、切片。
⑤ 缺陷定位技术：液晶热点、红外热像、电压衬度、光发射显微像、OBIRCH。

华碧实验室AEC-Q技术团队，执行过大量的AEC-Q测试案例，积累了丰富的认证试验经验，可为您提供更专业、更可靠的AEC-Q认证试验服务。